三维晶体管和后CMOS器件的进展

• 作者: 赵正平
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 鳍栅FET 三栅FET InGaAs鳍栅FET 环栅纳米线FET Ge鳍栅FET 碳纳米管FET 石墨烯FET 隧穿FET 自旋器件
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 技术论坛
• 页码范围: 1-11
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.01.001

摘要

2012年当量产的集成电路的特征尺寸进入22 nm时,三维晶体管新结构成为纳电子发展的主流,标志纳电子学的发展由应力Si时代进入三维晶体管时代.介绍了多栅晶体管的发展过程,包括双栅、鳍栅、Pi型栅、Q型栅、三栅和环形栅等FET关键技术的突破和由于栅极控制沟道电子能力增加而导致的器件性能的改善.同时,还介绍了后CMOS器件的新进展,包含InGaAs n沟道鳍栅FET、环栅纳米线FET、Ge n/p沟道鳍栅FET、碳纳米管FET、石墨烯FET、隧穿FET、单电子晶体管和自旋电子学等,以及后CMOS器件的评定和终结CMOS器件模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵正平		46	197	7.0	12.0