过孔刻蚀工艺优化对过孔尺寸减小的研究

• 作者: 张学智 徐少颖 李田生 谢振宇 闵泰烨 陈旭
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 钝化层 刻蚀 过孔
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 674-680
• 页数: 7页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 3878字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20142905.0674

摘要

为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,之前做过钝化层沉积工艺优化来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔尺寸的研究.本文在此基础上进行过孔刻蚀工艺的优化,从而最终达到进一步减小过孔尺寸实现TFT-LCD小型化与窄边框化的趋势.通过设计实验考察了影响过孔大小刻蚀主要影响因素(功率、压强、气体比率、刻蚀速率选择比).实验结果表明,在薄膜沉积优化的基础上可使过孔的尺寸再降低10％～20％.对其进行了良率检测与工艺稳定性评价,最终获得了过孔尺寸减小的方案,并成功导入到产品生产中,从而提高了产品品质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈旭		11	41	4.0	5.0
2	闵泰烨		10	33	4.0	4.0
3	谢振宇		12	62	5.0	7.0
4	李田生		4	14	3.0	3.0
5	徐少颖		3	12	3.0	3.0
6	张学智		1	3	1.0	1.0