基底处理抑制成核生长大晶畴石墨烯的研究

• 作者: 曹生珠 王兰喜 白晓航 郭磊 陈学康
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学气相沉积 抑制成核 毫米石墨烯晶畴
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 研 究 报 告
• 页码范围: 219-223
• 页数: 5页
• 分类号: O782
• 字数: 2649字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2014.04.006

摘要

电抛光及退火有效降低了铜箔表面的杂质及缺陷，将石墨烯成核密度降至约50个/cm2，制备了毫米尺寸晶畴的石墨烯连续膜。石墨烯连续膜中大部分区域是单层的，但有约20%的双/多层区域。电性能的测量结果表明，通过增大石墨烯晶畴尺寸提高石墨烯连续膜的电性能是可行的。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	白晓航	兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室	2	8	2.0	2.0
2	郭磊	兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室	4	26	3.0	4.0
3	王兰喜	兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室	10	39	4.0	6.0
4	曹生珠	兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室	12	55	5.0	6.0
5	陈学康	兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室	16	79	5.0	8.0