实际纳米MOSFET电流噪声及其相关特性分析

• 作者: 何亮 贾晓菲
• 来源期刊: 中国科学（物理学 力学 天文学）
• 关键词: 纳米MOSFET 散粒噪声 抑制因子
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 量子物理
• 页码范围: 587-592
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/SSPMA2013-00104

摘要

实际纳米MOSFET电流噪声为散粒噪声和热噪声,且散粒噪声受到费米作用和库仑作用的抑制.而现有文献研究实际纳米MOSFET电流噪声时,采取了完全不考虑其散粒噪声的抑制,或者只是强调抑制的存在而并未给出具体的抑制分析.本文基于Navid模型推导了实际纳米MOSFET电流噪声,并考虑费米作用和库仑作用对散粒噪声的抑制.在此基础上,对电流噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化特性进行了分析,其变化规律与文献中已有的实验和理论变化相一致.沟道长度越短,温度越低,源漏电压越大和栅极电压越低,电流噪声主要以散粒噪声为主.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何亮		36	212	7.0	14.0
2	贾晓菲		8	4	1.0	2.0