强反型区下纳米MOSFET的射频噪声机理分析

• 作者: 彭小梅 曾洪波 王军
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米MOSFET 受抑制散粒噪声 射频 噪声建模 强反型区 漏极电流噪声
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 微纳技术
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2696字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201931.180375

摘要

为了有效地表征纳米MOSFET强反型区下的射频噪声特性,研究了其噪声建模的方法.在分析45 nm MOSFET射频小信号等效电路参数提取结果的基础上,建立了该器件漏极电流噪声的简洁模型.该模型完整地表征了决定45 nm器件噪声机理的三个组成部分:本征漏极电流噪声、栅极管脚寄生电阻热噪声和栅漏衬底寄生电磁耦合噪声.噪声测量在验证所建模型准确性和精度的同时,还表明:45 nm MOSFET的本征漏极电流噪声为受抑制的散粒噪声,并且随着栅源偏压的降低受抑制性逐渐减弱直至消失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王军	西南科技大学信息工程学院	47	152	6.0	9.0
2	曾洪波	西南科技大学信息工程学院	2	1	1.0	1.0
3	彭小梅	西南科技大学信息工程学院	2	1	1.0	1.0