450 mm晶圆CMP设备技术现状与展望

• 作者: 周国安 柳滨
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械平坦化 集成技术 多区域压力控制 终点检测 抛光垫修整 后清洗
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 页码范围: 33-36,60
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 4049字
• 语种: 中文

摘要

分析化学机械平坦化（CMP）耗材发展现状及趋势，推断450 mm晶圆的CMP设备及技术的迫切性；在此基础上，展望450 mm晶圆将会采用系统集成技术、多区域压力控制承载器技术、抛光垫修整技术、终点检测技术、后清洗技术，并初步分析以上这些技术的特点。最后指出随着晶圆制造厂激烈竞争和持续投资，对450 mm的CMP设备要求必有所突破。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柳滨	中国电子科技集团公司第四十五研究所	10	42	4.0	6.0
2	周国安	中国电子科技集团公司第四十五研究所	13	43	4.0	6.0