Se离子束辅助沉积 CIS过程的数值分析

• 作者: 冯煜东 李学磊 王志民 王艺 赵慨 速小梅
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束辅助沉积 CIS 低温沉积 模拟
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 研 究 报 告
• 页码范围: 150-153
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2266字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2014.03.006

摘要

通过研究连续Se离子束辅助磁控溅射技术，在柔性聚酰亚胺基底上沉积形成CIS薄膜的过程，建立了相应的薄膜沉积模型。在此基础上，以离子注入深度效应作为研究对象，从扩散均匀性角度进行模拟计算，并与传统气相原子沉积方法进行比较。通过比较分析，计算出Se扩散均匀性为90％时，采用离子束辅助沉积所需的衬底温度明显低于气相原子沉积所需的衬底温度。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯煜东	兰州空间技术物理研究所表面工程技术重点实验室	8	37	5.0	5.0
2	王志民	兰州空间技术物理研究所表面工程技术重点实验室	6	18	3.0	4.0
3	李学磊	兰州空间技术物理研究所表面工程技术重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	王艺	兰州空间技术物理研究所表面工程技术重点实验室	5	18	3.0	4.0
5	赵慨	兰州空间技术物理研究所表面工程技术重点实验室	3	14	2.0	3.0
6	速小梅	兰州空间技术物理研究所表面工程技术重点实验室	2	7	1.0	2.0