电荷俘获存储器界面缺陷生长模型及其可靠性模拟

• 作者: 伦志远 刘晓彦 杜刚 王泰寰 矫亦朋
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷俘获存储器 可靠性模拟 界面缺陷
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 781-785
• 页数: 5页
• 分类号: TN389
• 字数: 2794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13209/j.0479-8023.2014.100

摘要

建立界面缺陷态密度随时间变化的模型.对电荷俘获存储器在不同应力条件下的可靠性进行模拟,为正常工作情形下,电荷俘获存储器内界面缺陷的生长机制以及不同应力条件下器件性能的退化提供预测工具.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓彦	北京大学微电子学研究院	41	268	9.0	15.0
2	杜刚	北京大学微电子学研究院	15	56	5.0	7.0
3	王泰寰	北京大学深圳研究生院	1	0	0.0	0.0
4	伦志远	北京大学微电子学研究院	1	0	0.0	0.0
5	矫亦朋	北京大学深圳研究生院	1	0	0.0	0.0