通过淀积-腐蚀-淀积实现平坦化的研究

• 作者: 王岳
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 平坦化 刻蚀速率 二氧化硅 光刻胶
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 30-31
• 页数: 2页
• 分类号: TN4
• 字数: 1109字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2014.04.010

摘要

在半导体器件和集成电路的研制和制备过程中，随着工艺水平的提高及技术进步，双层乃至多层布线越来越多，尺寸也越来越小。然而，在尺寸较小、台阶较高的情况下，如果在第一层金属上淀积介质后直接形成上层布线就会导致断条现象的出现，这就导致了平坦化成为非常重要的一项工艺。给出了平坦化工艺的基本原理，通过优化工艺条件并进行实验验证，确定了平坦化的最佳工艺条件，可以确保进行一次金属刻蚀以后，片子表面仍能基本平坦，这样就为二次布线打下了良好基础，杜绝了断条现象的产生。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王岳	中国电子科技集团公司第四十七研究所	2	3	1.0	1.0