气相传输法生长超长AlN晶须

• 作者: 史月增 张丽 洪颖 郝建民 齐海涛
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN 晶须 物理气相传输法 晶体形态
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 816-820
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 3253字
• 语种: 中文

摘要

研究了SiC上AlN晶须的气相生长技术.通过对生长温度和压力的调控,获得了六方柱状、台梯状和条带状三种形貌的AlN晶须.柱状晶须长度可达35 mm,直径lμm左右.通过扫描电镜和XRD分析,探讨了AlN晶须形态、结晶取向和生长条件之间的关系.低温、低压、较高饱和度条件下,AlN晶须沿[0001]方向生长,发育为六方细柱.随着生长温度提高,AlN晶须的优先生长面转向{1-102}面,形貌变为笔直的台梯状.继续增加压力,{10-10}面成为优先生长面,晶须呈现卷曲的条带状.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪颖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	15	36	3.0	5.0
2	郝建民	中国电子科技集团公司第四十六研究所	23	56	4.0	6.0
3	张丽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	44	3.0	5.0
4	齐海涛	中国电子科技集团公司第四十六研究所	20	30	3.0	4.0
5	史月增	中国电子科技集团公司第四十六研究所	11	16	3.0	3.0