NaCl结构VC薄膜生长过程中原子迁移的第一性原理研究

• 作者: 刘学杰 孙士阳 尚海龙 张安明 徐平平 李戈扬 马冰洋
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一原理 迁移 VC 生长过程
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 1097-1100
• 分类号: O484.1.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2014.10.17

摘要

为了解VC薄膜生长过程,通过第一性原理方法,对C(和V)原子在VC晶体表面和晶体内部的迁移情况进行了计算.结果显示,C(和V)的单原子在VC晶体表面格点位置具有最低的系统能量,此时,C原子的活动性仍较强,其迁移激活能仅为0.08 eV,而V原子由稳定的格点位置迁移则有较大阻力,激活能为2.48 eV;在VC晶体内部,C和V原子在(111)层面内迁移的激活能分别为3.34和4.30 eV,层间激活能分别为2.93和3.64 eV,表明它们在晶内的迁移极为困难.结合此结果,对VC薄膜的制备参数进行了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李戈扬	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	109	1036	18.0	25.0
2	刘学杰		57	114	6.0	7.0
3	孙士阳		19	25	3.0	4.0
5	尚海龙	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	16	34	4.0	4.0
8	徐平平		11	12	1.0	3.0
9	马冰洋	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	4	3	1.0	1.0
10	张安明	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	4	3	1.0	1.0