高性能IGBT激光退火设备及其量产应用

• 作者: 刘国淦 陈勇辉
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 激光退火 绝缘栅双极型晶体管 T aiko硅片
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 2919字
• 语种: 中文

摘要

激光退火工艺可以有效修复离子注入破坏的晶格结构，获得比传统退火方式更好的离子激活效率和激活深度，且不损伤T aiko硅片的正面器件，从而在FS-IG B T 器件的制造过程中得到业界的广泛关注和应用。针对FS-IG B T 激光退火工艺的特点，通过对退火深度、激光波长、光斑尺寸，以及Taiko薄片传输等技术的深入分析和数值仿真，完成了SLA 500激光退火设备的研制，并通过现场测试数据验证。测试结果表明，SLA 500激光退火设备的各项关键技术指标，如退火深度、激活效率、RS 均匀性和重复性等，均能满足FS-IGBT 激光退火工艺的量产应用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈勇辉		2	2	1.0	1.0
2	刘国淦		1	2	1.0	1.0