激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究

• 作者: 刘传珍 吴渊 张玉 李牧菊 李轶华 杨柏梁 邱法斌 黄锡珉
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: p-si薄膜 激光退火 能量密度
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 46-52
• 页数: 7页
• 分类号: O484.4|O471.4
• 字数: 2068字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2000.01.008

摘要

利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜,采用xRD、sEM等分析手段,进行了表征分析.对晶化的罔值能量密度进行了计算.并对激光退火的机理进行了探讨.研究结果表明:a-Si晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关,在晶化区内,晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加.