忆阻器的建模及高精度忆阻值读写电路的设计?

• 作者: 尹力 甘朝晖 高耀梁
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 忆阻器 建模 读写电路 SPICE
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 1145-1150
• 页数: 6页
• 分类号: TN710
• 字数: 3408字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.06.028

摘要

使用现有电路元件设计了一种荷控忆阻器的理论模型。由于把忆阻器应用于存储器、神经网络、信号处理等领域均涉及到忆阻器的读写操作，并且目前忆阻器大多是数字量0和1的操作，没有模拟量的操作。所以利用了荷控忆阻器的电荷特性，给出一种描述如何读取忆阻器的模拟忆阻值的方法。利用了荷控忆阻器的频率特性，设计了一个反馈式忆阻值写电路，该电路能够在忆阻器的阻态范围内进行任意模拟量的写操作。仿真结果验证了设计的正确性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	甘朝晖	武汉科技大学信息科学与工程学院	34	161	6.0	11.0
2	尹力	武汉科技大学信息科学与工程学院	2	4	2.0	2.0
3	高耀梁	武汉科技大学信息科学与工程学院	1	2	1.0	1.0