DOE技术在低电压CMOS晶体管中的质量控制?

• 作者: 张霞 徐士美 童庆强 袁陈晨 郑祺
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS晶体管 阈值电压 DOE 注入剂量
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 1043-1048
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3746字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.06.007

摘要

采用DOE( Design of Experiment)试验方法进行了CMOS晶体管工艺流片的分卡操作,研究18个样品的Vt 区注入Dvt、N场注入DNF、TEMP注入DP 这3种注入剂量变化的情形下阈值电压Vtn和Vtp的调控优化值。通过最大跨导法测试阈值电压Vtn和Vtp ,考查3种注入剂量对Vtn和Vtp的影响趋势,发现Dvt和DNF直接决定Vtn ,Dvt和DP 直接决定Vtp。结果表明,Vtn为0.082 V~0.600 V,关系式为 Vtn=0.15791Dvt+0.12320DNF+0.11433；Vtp为0.0535 V~0.6300 V,关系式为 V2tp=-0.03077D2vt-0．01688D2P+0.71899。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁陈晨	上海工程技术大学材料工程学院	5	8	2.0	2.0
2	张霞	上海工程技术大学材料工程学院	19	27	3.0	4.0
3	郑祺	上海工程技术大学材料工程学院	7	3	1.0	1.0
4	徐士美		1	0	0.0	0.0
5	童庆强		1	0	0.0	0.0