基于氧化铟锡的无结低电压薄膜晶体管

• 作者: 张耕铭 赵孔胜 轩瑞杰 韩笑
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 无结 低电压 氧化铟锡
• 年，卷（期）: 2012,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 425-429
• 分类号: TN321.5
• 语种: 中文

摘要

在室温下制备了基于氧化铟锡（ITO）的底栅结构无结薄膜晶体管．源漏电极和沟道层都是同样的ITO薄膜材料，没有形成传统的源极结和漏极结，因而极大的简化了制备流程，降低了工艺成本．使用具有大电容的双电荷层SiO2作为栅介质，发现当ITO沟道层的厚度降到约20nm时，器件的栅极电压可以很好的调控源漏电流．这些无结薄膜晶体管具有良好的器件性能：低工作电压（1．5V），小亚阈值摆幅（0．13V／dec）、高迁移率（21．56cm2／V·s）和大开关电流比（1．3×106）．这些器件即使直接在大气环境中放置4个月，器件性能也没有明显恶化：亚阈值摆幅保持为0．13V／dec，迁移率略微下降至18．99cm2／V·s，开关电流比依然大于106．这种工作电压低、工艺简单、性能稳定的无结低电压薄膜晶体管非常有希望应用于低能耗便携式电子产品以及新型传感器领域．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩笑	湖南大学微纳光电子器件教育部重点实验室	4	11	1.0	3.0
2	轩瑞杰	湖南大学微纳光电子器件教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
3	赵孔胜	湖南大学微纳光电子器件教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
4	张耕铭	湖南大学微纳光电子器件教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0