碳膜保护对高温激活SiC表面形貌的影响?

• 作者: 史晶晶 周正东 李诚瞻 王弋宇 申华军
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 化学
• 关键词: SiC 高温激活 碳膜 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 1030-1033
• 页数: 4页
• 分类号: O647.2
• 字数: 1713字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.06.004

摘要

采用碳膜覆盖于SiC晶片表面,作为SiC离子注入后高温激活退火的保护层,1650℃20 min高温退火后,有碳膜保护的SiC晶片表面粗糙度RMS只有0.6 nm,无明显形貌退化。 AZ5214光刻胶在不同温度条件Ar气氛围下碳化40 min,光刻胶均转变为纳米晶体石墨化碳膜。进行Raman测试表明,碳膜D峰和G峰的比值随碳化温度升高而增大,800℃高温碳化形成的碳膜ID：IG 达到3.57,对高温激活退火SiC表面保护效果最佳,经过Ar气氛围下1650℃20 min激活退火后,有碳膜保护和无碳膜保护的SiC表面粗糙度RMS分别为0.6 nm和3.6 nm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申华军	中国科学院微电子研究所	14	68	5.0	8.0
2	李诚瞻		1	4	1.0	1.0
6	王弋宇	中国科学院微电子研究所	1	4	1.0	1.0
7	史晶晶		1	4	1.0	1.0
11	周正东		1	4	1.0	1.0