钒注入制备半绝缘SiC的退火效应

• 作者: 张义门 张玉明 徐大庆 王超 谢昭熙 郭辉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘碳化硅 钒离子注入 退火 碳保护膜 扩散
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 固体电子器件及电路
• 页码范围: 770-775
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2|TN305.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.03.008

摘要

对钒离子注入P型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究.注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1 650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm.借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析,发现碳保护膜可以有效减小高温退火产生的表面粗糙,抑制沟槽的形成.二次离子质谱分析结果表明退火没有导致明显的钒在SiC中的再扩散.即使经过1 650℃高温退火,也没有发现钒离子向SiC表面外扩散的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科持大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科持大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	王超	西安电子科持大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	43	424	12.0	19.0
4	郭辉	西安电子科持大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	21	161	9.0	12.0
5	谢昭熙		1	0	0.0	0.0