MOD法生长LaMnO3缓冲层工艺的研究

• 作者: 徐文立 熊杰 赵晓辉 郭培 陶伯万
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: LMO缓冲层 YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导薄膜 MOD法 生长工艺 涂层导体 临界电流密度
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-23
• 页数: 4页
• 分类号: TM26
• 字数: 2884字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2014.02.005

摘要

采用金属有机沉积(MOD)法在LaAlO3(LAO)单晶基片上沉积了LaMnO3(LMO)缓冲层薄膜,通过控制LMO薄膜关键生长工艺(如退火温度、退火时间),系统地研究了薄膜微结构的变化.实验表明:在较宽的退火温度窗口范围均能获得单一取向生长的LMO薄膜,但其面外织构特性受退火温度和退火时间的影响很大.在退火温度为750℃,退火时间为60 min的最优工艺条件下,制备的LMO缓冲层具有纯c轴取向.在该LMO缓冲层上沉积的YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导薄膜的临界电流密度为1.0× 106 A/cm2,成功证明MOD法制备LMO缓冲层的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊杰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	41	205	6.0	12.0
2	陶伯万	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	39	165	5.0	10.0
3	赵晓辉	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	12	29	3.0	5.0
4	郭培	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	11	8	2.0	2.0
5	徐文立	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	3	1.0	1.0