金属掺杂钨基合金阴极的二次电子发射系数研究

• 作者: 李云 漆世锴 王小霞 罗积润 赵世柯 赵青兰
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 合金阴极 二次电子发射系数 磁控管 掺杂 阳极
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 158-162
• 页数: 5页
• 分类号: TN10
• 字数: 3591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.123006

摘要

实验中制备了W-Re,W-Sc,W-Zr,W-Y合金阴极,其中Re,Sc,Zr,Y元素所占合金阴极材料的质量分数都为5％.二次电子发射系数测试结果显示,Re掺杂合金阴极对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,掺杂5％Re的W-Re合金阴极材料具有最大二次电子发射系数,其值为1.8,相比于纯钨阴极,能够提高80％.鉴于Re对提高纯钨阴极二次电子发射能力显著,对Re掺杂质量分数分别为20％,10％,6％,5％,4％,3％W-Re合金阴极材料二次电子发射系数进行了研究,发现随着Re在W-Re合金阴极材料中含量的降低,其二次电子发射系数在不断增大,仅当Re含量下降至5％左右时,合金阴极具有最大二次电子发射系数,继续下降至4％,合金阴极二次电子发射系数不但没有升高,相反下降至1.41,当下降至3％时,合金阴极二次电子发射系数值迅速降低为1.1.