退火处理对长波长InAsSb材料电学性能的影响

• 作者: 周冉 杜传兴 高玉竹 龚秀英
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 化学
• 关键词: InAsSb 退火处理 元素分布 电学性质
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 11-14
• 分类号: TG321|O612.5
• 语种: 中文

摘要

研究长波长InAsSb半导体材料在退火处理前、后,傅里叶变换红外(FTIR)透射光谱、组份元素In、Sb和As在外延层中的分布以及电学性质的变化.用熔体外延(ME)技术,在InAs衬底上生长InAs0.05Sb0.95外延层,外延层的厚度达到100 pm.在350℃下,在氢气氛中对样品进行了11h的退火.测量结果表明,退火处理使InAsSb样品的电子迁移率从300 K下的43600 cm2/(V·s)提高到77 K下的48300 cm2/(V·s),材料的电学性能及元素分布均匀性得到了明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玉竹	同济大学电子与信息工程学院	12	50	3.0	7.0
2	龚秀英	同济大学电子与信息工程学院	9	12	2.0	3.0
3	周冉	同济大学电子与信息工程学院	2	29	1.0	2.0
4	杜传兴	同济大学电子与信息工程学院	2	0	0.0	0.0