应变（001）p型金属氧化物半导体反型层空穴量子化与电导率有效质量?

• 作者: 刘伟峰 宋建军
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 应变 p型金属氧化物半导体 沟道 设计
• 年，卷（期）: 2014,（23）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 238501-1-238501-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.238501

摘要

基于k · p微扰理论框架,研究建立了单轴张/压应变Si, Si基双轴应变p型金属氧化物半导体(PMOS)反型层空穴量子化有效质量与空穴面内电导率有效质量模型。结果表明：对于单轴应力PMOS,选择单轴压应力可有效增强器件的性能；同等增强PMOS空穴迁移率,需要施加的单轴力强度小于双轴力的强度；在选择双轴应力增强器件性能时,应优先选择应变Si1?xGex作为沟道材料。所获得的量化理论结论可为Si基及其他应变器件的物理理解及设计提供重要理论参考。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘伟峰	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	19	118	8.0	10.0
2	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	36	204	9.0	12.0