界面对金属诱导硅[111]取向薄膜生长的影响

• 作者: 夏晓红 胡承威 高云 鲍玉文
• 来源期刊: 材料科学
• 学科: 物理学
• 关键词: 铝诱导晶化 非晶硅 界面
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 46-53
• 页数: 8页
• 分类号: O48

摘要

通过金属铝诱导非晶硅晶化技术,在玻璃衬底上获得了[111]取向生长的多晶硅薄膜。研究了Al诱导Si取向结晶生长所需的退火温度和时间。通过对Al/Si界面层SiO2层厚度的改变,研究了界面SiO2层对取向结晶生长的影响。通过在Al层表面反应沉积Al2O3,研究了表面氧化对薄膜微结构的影响,获得了低表面空洞密度致密Si[111]取向生长薄膜。采用PECVD在铝诱导晶化硅薄膜表面沉积非晶硅层,经快速退火后获得外延[111]取向多晶硅薄膜,可用于多晶硅薄膜电池。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏晓红	湖北大学材料科学与工程学院	15	2	1.0	1.0
2	高云	湖北大学材料科学与工程学院	20	40	4.0	6.0
3	胡承威	湖北大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0
4	鲍玉文	湖北大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0