非晶SiO2薄膜中氧双键缺陷电子及光学特性的第一性原理研究

• 作者: 任旭升 刘新 单凡 张爱民 陈仙 陈帛雄
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶SiO2 薄膜 氧双键缺陷 第一性原理 吸收光谱
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 875-878
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2226字
• 语种: 中文
• DOI: 103969/j.issn.1000-0364.2015.10.026

摘要

利用第一性原理对离子溅射沉积的非晶SiO2薄膜微观结构进行了分析、研究,结果表明,氧双键缺陷( SGs)可以作为体缺陷稳定存在于非晶SiO2中,SGs缺陷导致非晶SiO2薄膜材料禁带中引入了新的电子态,减小了禁带宽度；同时采用时相关密度泛函理论( TDDFT)对其光学特性进行了研究,得到非晶SiO2薄膜介电常数与入射光子能量间的关系曲线,从介电常数的虚部发现SGs缺陷在3．6 eV处存在一个光学吸收峰．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新		1	2	1.0	1.0
2	单凡		1	2	1.0	1.0
3	陈仙		8	34	3.0	5.0
4	陈帛雄		1	2	1.0	1.0
5	任旭升		1	2	1.0	1.0
6	张爱民		1	2	1.0	1.0