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IC芯片顶拾工艺影响因素分析
IC芯片顶拾工艺影响因素分析
作者:
刘子阳
叶乐志
庄文波
王磊
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
IC芯片
正交试验设计
芯片顶起
拾取
摘要:
通过对半导体封装工艺中芯片拾取过程及影响芯片拾取的关键参数研究,用正交试验法设计并试验,得出了对于特定试验对象最优的参数值组合,找出了对芯片拾取有较大影响的3个参数,可用于今后芯片拾取研究的参考.
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文献信息
篇名
IC芯片顶拾工艺影响因素分析
来源期刊
电子工业专用设备
学科
工学
关键词
IC芯片
正交试验设计
芯片顶起
拾取
年,卷(期)
2015,(1)
所属期刊栏目
先进封装技术与设备
研究方向
页码范围
21-24,47
页数
5页
分类号
TN405.97
字数
1524字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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1
叶乐志
5
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刘子阳
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节点文献
IC芯片
正交试验设计
芯片顶起
拾取
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
主办单位:
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1004-4507
CN:
62-1077/TN
开本:
大16开
出版地:
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
邮发代号:
创刊时间:
1971
语种:
chi
出版文献量(篇)
3731
总下载数(次)
31
总被引数(次)
10002
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