a-SiNxOy薄膜局域态激子发光

• 作者: 万梓扬 张辰朔 许俊发 郝惠莲
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶氮氧化硅薄膜 光致发光(PL) 局域态激子 键合结构 辐射复合
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 624-628
• 分类号: TN304.8|O482.31
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.10.003

摘要

利用等离子体增强化学气相沉积方法在单晶硅衬底上制备出非晶氮氧化硅(a-SiNxOy)薄膜.基于结构表证、光致发光(PL)光谱、温度依赖性PL光谱和光致激发(PLE)光谱,对a-SiNxOy薄膜中局域态激子的发光性能进行了详细的研究.傅里叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)实验结果证实了a-SiNxOy薄膜中存在O-Si-N键合结构;PLE和PL峰位之间存在0.92 eV的斯托克斯漂移,表明a-SiNxOy薄膜室温可见发光主要起源于局域态激子的辐射复合;实验和理论计算结果表明,a-SiNxOy薄膜室温PL主要起源于与Si-O-Si和O-Si-N相关的局域态激子的辐射复合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝惠莲	上海工程技术大学材料工程学院	10	10	2.0	2.0
2	张辰朔	上海工程技术大学材料工程学院	1	0	0.0	0.0
3	许俊发	上海工程技术大学材料工程学院	1	0	0.0	0.0
4	万梓扬	上海工程技术大学材料工程学院	1	0	0.0	0.0