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摘要:
采用射频(RF)反应共溅射法制备了a-SiOxNy∶Er3+薄膜,在不同温度下进行退火处理,并测量了样品的可见及红外发光PL谱,观察到Er3+在550nm、525nm和1532nm的发光以及基质在620nm和720nm的发光.发现退火能明显增强Er3+的发光且对可见和红外发光的影响不同,讨论了退火明显增强Er3+发光及退火对可见和红外发光影响不同的机理.测量了Er3+可见发光的变温PL谱,讨论了退火对Er3+不同能级辐射跃迁几率的影响.根据基质发光随退火温度的变化,分析了基质发光峰的起源.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 a-SiNxOy∶Er3+薄膜的光致发光
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 Er 氮氧化硅 光致发光
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 381-386
页数 6页 分类号 TN383
字数 5043字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.010
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研究主题发展历程
节点文献
Er
氮氧化硅
光致发光
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相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
吉林省自然科学基金
英文译名:
官方网址:http://kyc.nedu.edu.cn/xxcx/xmzl/sqsjddxs2.htm
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