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a-SiNxOy∶Er3+薄膜的光致发光
a-SiNxOy∶Er3+薄膜的光致发光
作者:
孔祥贵
宋宏伟
张家骅
许武
邓文渊
马少杰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Er
氮氧化硅
光致发光
摘要:
采用射频(RF)反应共溅射法制备了a-SiOxNy∶Er3+薄膜,在不同温度下进行退火处理,并测量了样品的可见及红外发光PL谱,观察到Er3+在550nm、525nm和1532nm的发光以及基质在620nm和720nm的发光.发现退火能明显增强Er3+的发光且对可见和红外发光的影响不同,讨论了退火明显增强Er3+发光及退火对可见和红外发光影响不同的机理.测量了Er3+可见发光的变温PL谱,讨论了退火对Er3+不同能级辐射跃迁几率的影响.根据基质发光随退火温度的变化,分析了基质发光峰的起源.
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纳米硅
氮化硅薄膜
光致发光
发光机制
稀土离子掺杂LaAlO3:RE(RE=Dy3+,Ho3+,Er3+)荧光粉的发光性能
内容分析
文献信息
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期刊文献
内容分析
关键词云
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相关文献总数
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文献信息
篇名
a-SiNxOy∶Er3+薄膜的光致发光
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
Er
氮氧化硅
光致发光
年,卷(期)
2003,(4)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
381-386
页数
6页
分类号
TN383
字数
5043字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.010
五维指标
传播情况
被引次数趋势
(/次)
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Er
氮氧化硅
光致发光
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
吉林省自然科学基金
英文译名:
官方网址:
http://kyc.nedu.edu.cn/xxcx/xmzl/sqsjddxs2.htm
项目类型:
学科类型:
期刊文献
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