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CdxTe薄膜的共蒸发法制备及其表征
CdxTe薄膜的共蒸发法制备及其表征
作者:
冯良桓
张静全
曹五星
李卫
束青
武莉莉
王文武
黎兵
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CdxTe薄膜
双源共蒸发
CdTe太阳电池
摘要:
采用CdTe和Te双源共蒸发的方法,调控CdTe和Te源的蒸发速率,首次制备出一系列不同x组分的CdxTe二元化合物薄膜,并在N2气气氛下进行185℃退火处理。通过XRD、SEM、紫外–可见吸收光谱分析及暗电导率–温度关系对CdxTe薄膜的结构、形貌、光学和电学性质进行表征。紫外–可见吸收光谱分析表明,不同x组分的CdxTe薄膜,其禁带宽度可在0.99~1.46 eV之间变化,随着x值从0.8减小到0.2,吸收边向长波方向移动,而且透过率也显著下降。XRD结果表明, x值小于0.6时,刚沉积的CdxTe薄膜为非晶相;随着x的值逐渐靠近1,刚沉积的薄膜明显结晶,沿CdTe(111)方向择优生长,退火处理促使薄膜从非晶转变为多晶。CdxTe薄膜的导电类型为p型,其暗电导率随温度的上升而增大,当温度继续升高至临界点时,薄膜暗电导率–温度关系出现反常。这些结果表明, CdxTe薄膜将有望用于CdTe薄膜太阳电池以拓展电池的长波光谱响应。
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文献信息
篇名
CdxTe薄膜的共蒸发法制备及其表征
来源期刊
无机材料学报
学科
工学
关键词
CdxTe薄膜
双源共蒸发
CdTe太阳电池
年,卷(期)
2015,(10)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1099-1104
页数
6页
分类号
TQ174
字数
4153字
语种
中文
DOI
10.15541/jim20150148
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
黎兵
四川大学材料科学与工程学院
44
264
8.0
15.0
2
冯良桓
四川大学材料科学与工程学院
78
424
10.0
17.0
3
王文武
四川大学材料科学与工程学院
27
9
2.0
2.0
4
张静全
四川大学材料科学与工程学院
69
285
8.0
15.0
5
李卫
四川大学材料科学与工程学院
56
193
7.0
12.0
6
武莉莉
四川大学材料科学与工程学院
56
217
8.0
13.0
7
曹五星
四川大学材料科学与工程学院
2
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0.0
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8
束青
四川大学材料科学与工程学院
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节点文献
CdxTe薄膜
双源共蒸发
CdTe太阳电池
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研究来源
研究分支
研究去脉
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无机材料学报
主办单位:
中国科学院上海硅酸盐研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-324X
CN:
31-1363/TQ
开本:
16开
出版地:
上海市定西路1295号
邮发代号:
4-504
创刊时间:
1986
语种:
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
总被引数(次)
61689
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