不同电子阻挡层的紫光LED特性研究

• 作者: 夏晓川 柳阳 梁红伟 王东盛 申人升 蒋建华 黄慧诗
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 紫光发光二极管 电子阻挡层 发光效率
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 253-257,262
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 4128字
• 语种: 中文

摘要

通过设计包括不同Al含量的单层p-AlGaN电子阻挡层与10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的三种紫光LED结构,利用APSYS软件理论模拟研究了400 nm紫光LED的光电性能,并着重研究了电子阻挡层结构对紫光LED的光电性能的影响.APSYS软件的模拟结果显示,10对p-AlGaN/GaN超品格电子阻挡层对光输出功率(LOP)的提升优于单层p型AlGaN电子阻挡层.为验证理论模拟结果,使用MOCVD系统制备了三种紫光LED外延片,并将外延片加工成紫光芯片,分析了不同电子阻挡层对紫光LED光电性能的影响.实验的光电测试结果显示,带有10对p-AlGaN/GaN超品格电子阻挡层的400 nm紫光LED发光效率高于另外两种紫光LED,在输入20 mA电流条件下,其光输出功率为21 mW,具有商用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏晓川	大连理工大学物理与光电工程学院	9	9	2.0	3.0
2	梁红伟	大连理工大学物理与光电工程学院	21	81	6.0	8.0
3	黄慧诗		4	5	1.0	1.0
4	申人升	大连理工大学物理与光电工程学院	10	85	5.0	9.0
5	蒋建华		1	1	1.0	1.0
6	王东盛	大连理工大学物理与光电工程学院	1	1	1.0	1.0
7	柳阳	大连理工大学物理与光电工程学院	6	14	2.0	3.0