碳热还原合成碳化硅温度场及压力场的数值模拟

• 作者: 宁瑞东 李阳 杜双明
• 来源期刊: 材料导报：纳米与新材料专辑
• 学科: 工学
• 关键词: SIC 温度场 压力场 数值模拟
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 90-92
• 页数: 3页
• 分类号: TQ173

摘要

通过对碳热还原合成SiC温度场与压力场的数值模拟，研究了冶炼炉内的温度、压力随合成时间的变化规律。研究结果表明，随着合成时间的延长，热量向外传递，高温等温面逐渐向外扩展，适合生成SiC的温区面积逐渐增大，过长的合成时间增加能耗，SiC分解加剧，产率降低。与单热源炉相比，平行三热源炉内压力分布比较均匀，炉内平均压力维持在140-200kPa之间，从而利于SiC合成反应的顺利进行，同时避免了喷炉事故。单热源炉在装料时底部反应配料中注意粒度级配，加入少许木屑，以增加气孔率，有利于压力释放。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜双明	西安科技大学材料科学与工程学院	42	95	6.0	9.0
2	李阳	西安科技大学材料科学与工程学院	21	55	4.0	6.0
3	宁瑞东	西安科技大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0