英飞凌将与松下电器联袂,双双推出常闭型600V GaN功率器件

• 作者: 江安庆
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 松下电器 英飞凌 GaN 常闭式 氮化镓 强型 基板 联合开发 驱动方案 化合物半导体
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 5-6
• 页数: 2页
• 分类号: TN32

摘要

【正】英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定,两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封