阳极氧化条件对多孔硅性质的影响

• 作者: 崔丹丹 杨继凯 王云龙 王国政 端木庆铎
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学 多孔硅 孔隙度 刻蚀速率 粗糙度
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件与材料
• 页码范围: 26-29,45
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 4105字
• 语种: 中文

摘要

基于硅的电化学腐蚀基理，通过电化学阳极氧化法制备多孔硅结构，用扩散限制模型和Si的氧化原理来探究阳极氧化条件对多孔硅性质的影响。首先，研究HF对多孔硅孔隙率和刻蚀速率以及腐蚀界面的粗糙度的影响，然后研究了在不同电流密度时多孔硅的刻蚀特性。结果表明，在HF（49 wt.%）与乙醇的体积比为2：3的电解液中刻蚀多孔硅时，随电流密度的增大，多孔硅结构的孔隙度及刻蚀速率均逐渐增大；在电流密度为55 mA/cm2时，刻蚀速率随电解液中HF体积含量的增大而增大，多孔硅的孔隙度随HF体积含量的增大而减小；多孔硅-硅的界面粗糙度随电流密度和HF体积含量的增大而增大，在HF与乙醇的体积比高于3：2时多孔硅-硅的界面粗糙度很大，而且多孔硅膜层发生龟裂现象，这将严重影响多孔硅光学器件的发光质量。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	端木庆铎	长春理工大学理学院	56	241	8.0	12.0
2	王国政	长春理工大学理学院	51	208	8.0	11.0
3	杨继凯	长春理工大学理学院	23	26	3.0	4.0
4	王云龙	长春理工大学理学院	2	2	1.0	1.0
5	崔丹丹	长春理工大学理学院	2	2	1.0	1.0