氮化物半导体电子器件新进展

• 作者: 张进成 张金风 郑雪峰 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 氮化物半导体材料 微波功率器件 电力电子器件
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 应用物理学/评述
• 页码范围: 873-881
• 页数: 9页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N972015-00068

摘要

氮化物宽禁带半导体是实现大功率、高频率、高电压、高温和耐辐射电子器件的一类理想材料.基于氮化镓(GaN)异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)是氮化物电子器件的主流结构,该结构利用高电导率二维电子气实现强大的电流驱动,同时保持了氮化物材料的高耐压能力.近年来,GaN HEMT器件主要在微波功率和电力电子2个领域得到了快速发展.本文评述了GaN微波毫米波功率器件和高效电力电子器件的若干研究进展,并提出了氮化物电子器件仍存在的问题及解决方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃		312	1866	17.0	25.0
2	马晓华		40	140	7.0	8.0
3	郑雪峰		12	39	4.0	6.0
4	张进成		19	65	5.0	7.0
5	张金风		6	42	3.0	6.0