氮气气氛下热处理对ITO薄膜光电性能的影响

• 作者: 周澐 潘洪涛 计晶晶 陆改玲 陈霞
• 来源期刊: 信息记录材料
• 学科: 工学
• 关键词: ITO薄膜 溶胶-凝胶法 氮气气氛 光电性能
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: TQ31
• 字数: 2287字
• 语种: 中文

摘要

利用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了掺锡氧化铟(ITO)导电薄膜,并在氮气气氛下对薄膜进行热处理.采用四探针测试仪、双光束紫外-可见分光光度计、X-射线粉末衍射仪和扫描探针显微镜等手段对所制备的ITO薄膜进行分析表征,并对掺Sn量、退火温度和退火时间对薄膜光电性能的影响进行了研究.实验结果表明:当掺Sn量为11％、热处理温度为480℃、热处理时间为60min时,能在氮气气氛中成功制备纳米ITO导电薄膜,其晶粒大小在20～ 90nm之间,薄膜的方阻较小为390Ω/□,可见光透过率达80％以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆改玲	内蒙古包头医学院医学技术学院	10	15	2.0	2.0
2	陈霞	内蒙古包头医学院医学技术学院	12	16	2.0	2.0
3	计晶晶	内蒙古包头医学院医学技术学院	10	33	3.0	5.0
4	周澐	内蒙古包头医学院医学技术学院	7	12	2.0	2.0
5	潘洪涛	内蒙古包头医学院医学技术学院	1	0	0.0	0.0