优化偏置点的SiGe功率放大器设计

• 作者: 孙凯 郝明丽 陈延湖
• 来源期刊: 电子器件
• 关键词: 射频功率放大器 偏置点优化 误差矢量幅度测试 SiGe BiCMOS
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1257-1261
• 页数: 5页
• 字数: 3829字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.06.010

摘要

采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺，设计了应用于2.4 GHz频段无线局域网的功率放大器。着重测试分析了偏置点对放大器输出信号误差矢量幅度和效率的影响。发现通过优化偏置点，可提高功率放大器的最大线性输出功率和效率。电路采用三级单端放大结构，集成了偏置电路、输入匹配和级间匹配电路。在优化的偏置点下测试表明，在2.45 GHz频率处增益为26.6 dB，1 dB压缩点处输出功率为23.6 dBm。对于IEEE 802.11 g 54 Mbit/s的调制信号，误差矢量幅度为5.6%时，线性输出功率达到16.6 dBm。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝明丽	中国科学院微电子研究所	20	65	5.0	6.0
2	孙凯	山东大学信息科学与工程学院	11	52	4.0	6.0
6	陈延湖	山东大学信息科学与工程学院	6	9	2.0	2.0