半导体器件辐射电离效应的激光模拟方法

• 作者: 代刚 孙鹏 宋宇 张健 李沫
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 辐射电离效应 激光模拟
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 160-168
• 页数: 9页
• 分类号: TN99
• 字数: 7426字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201501.0160

摘要

因对半导体器件进行安全、快捷、无损伤的辐射效应研究及验证的迫切需求，激光模拟辐射电离效应方法应运而生，并得到了国外科研界的推动和认可。相比于大型地面辐射模拟装置，激光模拟方法具有许多独特优势，可为深入认识半导体器件辐射效应，开展有针对性的抗辐射加固设计提供重要的补充手段，其研究在理论和应用方面均具有重要意义。本文简要叙述了γ射线、激光与半导体器件相互作用产生电离效应的主要机理，归纳了激光模拟的物理基础和主要特点，总结了国内外发展的情况，深入分析了当前研究存在的问题，并提出了开展研究可以采取的手段和方法。最后展望了未来值得进一步探索的研究内容和方向。