基于正交设计的硅通孔信号完整性分析

• 作者: 张欣 林训超 梁颖 邵良滨 黄春跃
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔 电场强度 回波损耗 插入损耗 正交设计 方差分析
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 66-70
• 页数: 5页
• 分类号: TP391.9
• 字数: 3641字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.05.018

摘要

针对硅通孔(Through Silicon Via; TSV)高度、直径和绝缘层厚度三个结构参数建立了25种不同水平组合的HFSS仿真模型,获取了这25种TSV的回波损耗和插入损耗并进行了方差分析.结果表明:随信号频率升高,TSV最大表面电场强度和插入损耗减小而回波损耗增大;在置信度为99％时,TSV高度是影响回波损耗和插入损耗的显著性因素;TSV直径和绝缘层厚度对回波损耗和插入损耗影响均不显著;TSV高度对回波损耗和插入损耗影响最大,其次是TSV直径,最后是绝缘层厚度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张欣	成都航空职业技术学院电子工程系	9	9	2.0	3.0
2	黄春跃	桂林电子科技大学机电工程学院	81	410	11.0	16.0
3	梁颖	成都航空职业技术学院电子工程系	50	190	7.0	11.0
4	林训超	成都航空职业技术学院科技处	15	94	6.0	9.0
5	邵良滨	桂林电子科技大学机电工程学院	7	11	2.0	3.0