铝阳极氧化技术制作三维铝封装基板

• 作者: 刘凯 王盈莹 王立春
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铝封装基板 阳极氧化 铝通柱 栅格地 氧化终点 三维封装
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TM205
• 字数: 2139字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.05.006

摘要

采用铝阳极氧化技术,制作了含有阵列型铝通柱的10.16 cm(4英寸)直径封装基板.由金相显微镜观察:基板的厚度在300μm左右,铝通柱的表面直径约158 μm,内部最大直径约473 μm.分析结果表明:图形掩膜边缘存在侧向阳极氧化效应,因而造成铝通柱实际为纺锤体结构.由半导体网络分析仪测得铝通柱和铝栅格地之间的绝缘电阻达到1011Ω;通过矢量网络分析仪反推出基板介质在1MHz下的相对介电常数为5.97.这种三维铝封装基板制作工艺简单、成本低廉,可用于系统级封装领域.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立春		10	4	1.0	1.0
2	刘凯		5	3	1.0	1.0
3	王盈莹		1	1	1.0	1.0