中低能质子致金属氘化物二次电子发射系数研究

• 作者: 向伟 崔莹 王诗尧 谈效华 邵剑雄 金大志 陈佳林 陈熙萌 黎明
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 中低能质子 金属氘化物 二次电子发射系数
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 660-664
• 页数: 5页
• 分类号: O562.4
• 语种: 中文

摘要

测量了中低能质子致氘化钛和氘化锆二次电子发射系数.结果表明,20 nA/cm2束流下各二次电子发射系数与其电子能损近似成正比,比例因子∧较Sternglass理论值偏大约50％,表面吸附层影响二次电子发射系数.束流密度为7μA/cm2的100 keV质子束长时间测量时,二次电子发射系数γ和正比例因子∧在前100 s内快速下降并逐渐稳定至理论值.