溶胶凝胶法制备TiO 2薄膜忆阻器

• 作者: 朱记 李震
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 忆阻器 溶胶凝胶法 TiO 2薄膜 I-V特性 存储 非线性
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 75-77
• 页数: 3页
• 分类号: TM50
• 字数: 1996字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.09.017

摘要

忆阻器被认为是除电阻、电容、电感元件之外的第四个基本的无源元件，由于它具有非易失记忆在众多领域里有广泛的应用前景。采用溶胶凝胶法在玻璃衬底上制备出TiO 2薄膜，用探针法和半导体参数分析仪表征它的I-V特性，用原子力显微镜表征它的表面形貌，用台阶仪测量它的厚度。结果表明在两个电极之间的TiO 2薄膜具有忆阻器特性，阈值电压约为0.8 V，两态电阻分别是53Ω和5Ω。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李震	华中科技大学光学与电子信息学院	139	769	14.0	21.0
2	朱记	华中科技大学光学与电子信息学院	2	5	1.0	2.0