纳米晶NdFeB薄膜的电沉积机理

• 作者: 张岩 杨仲年 王萃 谢彦
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: NdFeB薄膜 电沉积 腐蚀 磁性能
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 832-837
• 页数: 6页
• 字数: 496字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(15)63670-6

摘要

采用直流电沉积法在铜基体表面制备纳米晶NdFeB薄膜。利用扫描电镜、能谱、振动样品磁强计和动电位极化技术对样品进行表征。采用循环伏安和电化学阻抗技术对NdFeB膜电沉积初期的电化学行为进行研究。结果表明，电沉积制备的NdFeB膜的耐蚀性能优于传统烧结法制备的NdFeB膜的耐蚀性能。纳米晶NdFeB磁性薄膜的电沉积初期遵循3D瞬时成核/生长机制，电荷转移为速控步骤。随着外加沉积电位的增大，异质成核/生长逐渐转变为同质成核/生长，因此电沉积过程的电荷转移电阻减小。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张岩	滨州学院化学工程系	17	67	5.0	7.0
2	杨仲年	滨州学院化学工程系	20	76	5.0	7.0
4	谢彦	滨州学院化学工程系	20	118	7.0	10.0
5	王萃	山东师范大学化学化工与材料科学学院	3	8	1.0	2.0