考虑NBTI效应的组合电路软错误率计算方法

• 作者: 梁华国 蒋翠云 闫爱斌 黄正峰
• 来源期刊: 计算机辅助设计与图形学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 负偏置温度不稳定性 扇出重汇聚 单粒子瞬态 软错误率
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: VLSI设计与测试及电子设计自动化
• 页码范围: 1562-1569
• 页数: 8页
• 分类号: TP391.72
• 字数: 7539字
• 语种: 中文

摘要

工艺尺寸的降低导致组合电路对软错误的敏感性越发突出,由负偏置温度不稳定性(NBTI)效应引起的老化现象越发不容忽视.为了准确地评估集成电路在其生命周期不同阶段的软错误率,提出一种考虑NBTI效应的组合电路软错误率计算方法.首先通过对节点输出逻辑进行翻转来模拟故障注入,并搜索考虑扇出重汇聚的敏化路径;再基于单粒子瞬态(SET)脉冲在产生过程中展宽的解析模型对初始SET脉冲进行展宽,使用NBTI模型计算PMOS晶体管阈值电压增量并映射到PTM模型卡;最后使用考虑老化的HSPICE工具测量SET脉冲在门单元中传播时的展宽,并将传播到锁存器的SET脉冲进行软错误率计算.在考虑10年NBTI效应的影响下,与不考虑NBTI效应的软错误率评估方法相比的实验结果表明,该方法能够平均提高15％的软错误率计算准确度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁华国	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	192	1611	19.0	30.0
2	黄正峰	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	101	590	14.0	19.0
3	蒋翠云	合肥工业大学数学学院	21	373	9.0	19.0
4	闫爱斌	合肥工业大学计算机与信息学院	9	41	4.0	6.0