无半导体的异质接面晶体管可望取代硅

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 晶体管 异质 高电子迁移率 硅 碳纳米管 绝缘层 氮化硼
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（4）
• 页码范围: 25-26
• 页数: 2页
• 分类号: TN3

摘要

美国密西根理工大学（MichiganTech）透过结合石墨烯的高电子迁移率与氮化硼碳纳米管（BNNT）的绝缘层特性，期望开发出尺寸较硅（Si）更小且更具热效能的无半导体（semiconductor—less）异质接面晶体管，从而在国际半导体技术蓝图（ITRS）预期的2028年大限时接棒。