开态氮化镓晶体管的高温挖槽工艺

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 氮化镓 工艺 挖槽 高温 功率密度 脉冲状态 中国内地
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（4）
• 页码范围: 29-30
• 页数: 2页
• 分类号: TN32

摘要

中国内地和香港的研究者们近日称在4GHz条件和脉冲状态下，最新推出的氮化镓基增强型金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管中（MIS-HEMTs）可获得最高的输出功率密度和功率附加效率。