热退火对等离子体增强化学气相沉积SiCOH薄膜结构与性能的影响?

• 作者: 丁士进 吴小蒙 范仲勇 谭再上
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 热退火 SiCOH薄膜 等离子体增强化学气相沉积 结构与性能
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 107701-1-107701-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.107701

摘要

热退火是多孔低介电常数薄膜制备过程中的重要一环,对薄膜结构及性能具有重要影响。本文以四乙氧基硅烷和双戊烯为前驱体,采用等离子体增强化学气相沉积方法制备了SiCOH薄膜,对其进行了氮气氛围下的热退火处理,分析了热退火对薄膜结构与性能的影响,探究了退火过程中薄膜结构变化的可能的反应机理。傅里叶变换红外光谱和固体核磁共振谱结果表明,沉积薄膜是一种有机无机杂化薄膜。退火过程中,薄膜中的—CH2,—CH3等有机组分被分解除去,形成了以稳定的Si—O—Si等无机组分为骨架的多孔结构,并通过氮气吸附/脱附等温线测试得到了验证。在此期间,薄膜骨架微结构亦发生一系列调整, C=C, Si—C含量增加, Si、O、C等元素间发生进一步键合。 C=C 含量的提高,使得薄膜的消光系数和漏电流密度增大。实验证明,退火后薄膜具有低折射率、低介电常数特性,是一类具有优异的介电性能和力学性能的材料,作为芯片后端互连层间介质具有极大的应用潜力。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范仲勇	复旦大学材料科学系	40	287	11.0	14.0
2	丁士进	复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室	29	174	7.0	12.0
3	谭再上	复旦大学材料科学系	1	1	1.0	1.0
4	吴小蒙	复旦大学材料科学系	3	2	1.0	1.0