Na掺杂p型ZnOSe薄膜的制备及表征

• 作者: 张志远 蔡晖 黄靖云
• 来源期刊: 中国科技论文
• 学科: 工学
• 关键词: p型掺杂 ZnOSe薄膜 脉冲激光沉积 表征
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 475-477
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2094字
• 语种: 中文

摘要

使用脉冲激光沉积技术在石英衬底上制备了ZnOSe薄膜.不同温度下对ZnOSe薄膜在N2气氛中进行快速退火.采用X射线衍射、Hall测试、紫外-可见透射光谱测试及X射线光电子谱等分析测试技术对薄膜进行结构和性能表征,结果表明:ZnOSe薄膜具有良好的(002)择优取向;800℃退火后的薄膜中空穴浓度达到了1.517×1017 cm-3,实现了p型导电.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄靖云	浙江大学材料科学与工程学院	51	610	12.0	23.0
2	蔡晖	浙江大学材料科学与工程学院	2	1	1.0	1.0
3	张志远	浙江大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0