氧化物正电荷影响下半导体空间电势的近似解析解研究

• 作者: 刘岩 李瑞宾 杨善潮 林东生 王桂珍 白小燕 金晓明 陈伟
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 电离总剂量 氧化物正电荷 空间电势 泊松方程
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 核科学与工程
• 页码范围: 263-268
• 页数: 6页
• 分类号: TL929|O212
• 字数: 4240字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.086001

摘要

建立了半导体空间电势与界面氧化物正电荷之间联系的解析表达式.从一维情况下精确的泊松方程及其边界条件出发,对N(P)型硅半导体中的泊松方程作积累(耗尽)近似,根据德拜屏蔽效应对边界条件作截断近似,得到了氧化物正电荷影响下两种类型半导体内电势的近似解析解.另外,还进行了精确数值计算,并将它与近似解析解的结果进行比较,结果表明,当氧化物正电荷增加到使P型半导体发生强反型后,近似解不再成立.根据强反型的条件,给出了P型半导体中近似解的适用范围.