金属前驱体比例和硫化温度对Cu-Sn-S薄膜特性的影响

• 作者: 任晓荣 程文娟 郭一欣 陈菲
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 Cu2SnS3 硫化 光学带隙
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 939-946
• 页数: 8页
• 分类号: O484
• 字数: 5685字
• 语种: 中文

摘要

使用射频磁控溅射在镀Mo的玻璃基底上制备了Cu/Sn化学计量比为1.4 ～2.0的金属前驱体薄膜.经过400℃、450℃和500 ℃硫化后获得了一系列Cu-Sn-S薄膜.采用X射线衍射、X射线光电子能谱、拉曼光谱、原子力显微镜和紫外可见近红外分光光度计对样品进行了表征.结果表明:硫化温度与前驱体中Cu/Sn化学计量比对Cu-Sn-S薄膜的结构、化学组分和光学性能影响较大.当硫化温度为450℃,前驱体中Cu/Sn化学计量比为1.4∶1时,能得到近乎单一相、四方结构的Cu2SnS3薄膜,光学带隙为1.01 eV.过高的Cu/Sn化学计量比或硫化温度都会导致Cu3SnS4或Cu4SnS4的出现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程文娟	华东师范大学物理系	5	20	3.0	4.0
2	任晓荣	齐鲁工业大学电气工程与自动化学院	2	2	1.0	1.0
3	郭一欣	华东师范大学物理系	1	1	1.0	1.0
4	陈菲	华东师范大学物理系	2	41	1.0	2.0