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拉锭速度对铸造准单晶硅固液界面、氧含量及V/Gn值的影响
拉锭速度对铸造准单晶硅固液界面、氧含量及V/Gn值的影响
作者:
李海波
李进
梁森
董法运
薛子文
高忙忙
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
准单晶硅
固液界面
氧含量
V/Gn
摘要:
太阳能级铸造准单晶硅具有较高的光电转换效率和低的生产成本,是一种具有竞争力的晶硅类太阳能电池材料.本文采用CGSim晶体生长软件,系统分析了拉锭速度对固液界面,晶体氧含量和V/Gn值的影响.结果表明,一方面,随着拉锭速度的增大,固液界面曲率逐渐加大,增加了铸锭边缘区域多晶的形成几率;另一方面,熔体温度逐渐降低,导致晶体氧含量会逐渐减少;同时,拉锭速度大于10 mm/h时,固液界面处V/Gn值均大于临界值.最终,最佳的铸造准单晶硅拉锭速度为10~15 mm/h.
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篇名
拉锭速度对铸造准单晶硅固液界面、氧含量及V/Gn值的影响
来源期刊
硅酸盐通报
学科
物理学
关键词
准单晶硅
固液界面
氧含量
V/Gn
年,卷(期)
2015,(9)
所属期刊栏目
专题论文
研究方向
页码范围
2471-2475
页数
5页
分类号
O78
字数
3996字
语种
中文
DOI
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姓名
单位
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G指数
1
高忙忙
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13
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4.0
6.0
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李进
宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室
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宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室
17
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4.0
5.0
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7
2.0
2.0
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宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室
8
12
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董法运
宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室
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硅酸盐通报
主办单位:
中国硅酸盐学会
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-1625
CN:
11-5440/TQ
开本:
16开
出版地:
北京市朝阳区东坝红松园1号中材人工晶体研究院733信箱
邮发代号:
80-774
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
8598
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