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铜基板上 CVD 法生长单晶石墨烯及研究现状
铜基板上 CVD 法生长单晶石墨烯及研究现状
作者:
吴涛
张晓伟
蒋业华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CVD
预处理铜基板
特殊空间结构:单晶石墨烯
摘要:
石墨烯是一种以S P2键结合的二维碳的同素异形体,其独一无二的优异性能,使得其在过去几十年里受到了石墨烯研究工作者的极大兴趣。但石墨烯不同于自然界的石墨,并且受限于小尺寸和低产率。化学气相沉积法(CVD )的出现解决了这些问题,并逐渐发展为一种规模生产大面积、大尺寸、多应用石墨烯的重要方法。但化学气相沉积法生长石墨烯是多晶石墨烯并且由于晶界会产生降解性能。因此,石墨烯生长研究的下一个关键问题是如何让大晶粒单晶石墨烯生长。本文主要叙述了4种代表性预处理铜基板来生长毫米级单层石墨烯的方法:电化学抛光后高温退火、盒状铜箔基板、融化再结晶成新的铜基板、让铜基板富氧。以及现在发展的石墨烯晶粒的特殊空间结构,这些特殊晶粒包括雪花、六瓣鲜花、金字塔和六角形的石墨烯洋葱圈形状。综述了利用不同预处理铜基板的工艺得到毫米级单晶石墨烯的方法。尽管CVD生长单晶石墨烯已经有了空前的进步,但仍然有潜在的挑战,例如,晶元尺寸单晶石墨烯的生长和器件的制作,以及对石墨烯生长机制和生长动力学的进一步了解。
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文献信息
篇名
铜基板上 CVD 法生长单晶石墨烯及研究现状
来源期刊
功能材料
学科
工学
关键词
CVD
预处理铜基板
特殊空间结构:单晶石墨烯
年,卷(期)
2015,(16)
所属期刊栏目
综述?进展
研究方向
页码范围
16037-16043,16051
页数
8页
分类号
TB34
字数
4074字
语种
中文
DOI
10.3969/ji.ssn1.001-97312.0151.60.06
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
蒋业华
昆明理工大学材料科学与工程学院
329
2172
21.0
29.0
2
吴涛
昆明理工大学材料科学与工程学院
79
219
8.0
12.0
3
张晓伟
昆明理工大学材料科学与工程学院
46
352
13.0
18.0
传播情况
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引证文献(1)
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2019(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
CVD
预处理铜基板
特殊空间结构:单晶石墨烯
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
主办单位:
重庆材料研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-9731
CN:
50-1099/TH
开本:
16开
出版地:
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
邮发代号:
78-6
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
总被引数(次)
91048
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